MMBFJ212

功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor

RoHS:

制造商:NXP Semiconductors

配置:Single

晶体管极性:N-Channel

正向跨导 gFS(最大值/最小值):

电阻汲极/源极 RDS(导通):

漏源电压 VDS:40 V

闸/源截止电压:5 V

闸/源击穿电压:40 V

最大漏极/栅极电压:40 V

漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA

漏极连续电流:

功率耗散:250 mW

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

封装:Reel

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